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J-GLOBAL ID:200903049407825858
指紋認識用半導体装置
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1999323051
Publication number (International publication number):2001141411
Application date: Nov. 12, 1999
Publication date: May. 25, 2001
Summary:
【要約】【課題】 指等が触れたときの静電耐圧を向上させた指紋認識用半導体装置を提供する。【解決手段】 電荷を蓄積する複数個の電極2と、前記電極2を被覆する保護膜3と、前記電極の下部に形成され、前記電極のそれぞれに蓄積された電荷を読み出す複数個の半導体素子とを有する指紋認識用半導体装置において、前記電極2と並列した位置に、該電極2とは電気的に独立して且つ前記電極よりも厚さの厚い静電気引き抜き用配線301を備えた。
Claim (excerpt):
電荷を蓄積する複数個の電極と、前記電極を被覆する保護膜と、前記電極の下部に形成され、前記電極のそれぞれに蓄積された電荷を読み出す複数個の半導体素子とを有する指紋認識用半導体装置において、前記電極と並列した位置に、該電極とは電気的に独立して且つ前記電極よりも厚さの厚い静電気引き抜き用配線を備えたことを特徴とする指紋認識用半導体装置。
IPC (4):
G01B 7/28
, A61B 5/117
, G01B 7/34 102
, H01L 21/3205
FI (4):
G01B 7/28 C
, G01B 7/34 102 A
, A61B 5/10 322
, H01L 21/88 Z
F-Term (25):
2F063AA41
, 2F063BA29
, 2F063BA30
, 2F063CA19
, 2F063CA20
, 2F063CA28
, 2F063HA04
, 2F063HA09
, 2F063HA10
, 2F063HA11
, 2F063HA16
, 2F063HA20
, 4C038FF01
, 4C038FF05
, 4C038FG00
, 5F033HH08
, 5F033HH09
, 5F033HH18
, 5F033HH33
, 5F033MM08
, 5F033QQ48
, 5F033RR04
, 5F033RR06
, 5F033SS11
, 5F033VV00
Patent cited by the Patent: