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J-GLOBAL ID:200903049419366050

浴水処理システムおよび浴水処理方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (3): 山崎 宏 ,  青山 葆 ,  前田 厚司
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2006289445
Publication number (International publication number):2008104608
Application date: Oct. 25, 2006
Publication date: May. 08, 2008
Summary:
【課題】浴槽部の浴水に適切なサイズのマイクロナノバブルを十分な数量だけ発生させられる浴水処理システムを提供する。【解決手段】浴水処理システム1は、浴水を貯留する浴槽部3と、浴槽部3と下部連通路5および上部連通路6で連通するマイクロナノバブル発生部4とを有し、マイクロナノバブル発生部3は、下部連通路5と上部連通路6との間に、浴水にマイクロナノバブルを導入する第1のマイクロナノバブル発生装置7と、第1のマイクロナノバブル発生装置7の上方に、第1のマイクロナノバブル発生装置7が発生したマイクロナノバブルを含む浴水を吸い込んで、さらにマイクロナノバブルを導入しながら、上部連通路6に向かって吐出する第2のマイクロナノバブル発生装置8とを備える。【選択図】図1
Claim (excerpt):
浴水を貯留する浴槽部と、 前記浴槽部と下部連通路および前記下部連通路の上方に設けた上部連通路で連通するマイクロナノバブル発生部とを有し、 前記マイクロナノバブル発生部は、前記下部連通路と前記上部連通路との間に、前記浴水に空気を導入してマイクロナノバブルを発生させる第1のマイクロナノバブル発生装置と、 前記第1のマイクロナノバブル発生装置の上方に、前記第1のマイクロナノバブル発生装置が発生したマイクロナノバブルを含む前記浴水を吸い込んで、さらに空気を導入してマイクロナノバブルを発生させ、前記上部連通路に向かって前記浴水を吐出する第2のマイクロナノバブル発生装置とを備えることを特徴とする浴水処理システム。
IPC (4):
A61H 23/00 ,  A61H 33/02 ,  A47K 3/00 ,  A61H 33/00
FI (6):
A61H23/00 520 ,  A61H33/02 D ,  A47K3/00 F ,  A61H33/02 A ,  A61H33/00 A ,  A61H33/00 E
F-Term (14):
4C074LL07 ,  4C074MM04 ,  4C074NN08 ,  4C074QQ40 ,  4C094AA01 ,  4C094DD01 ,  4C094DD06 ,  4C094DD14 ,  4C094DD17 ,  4C094EE22 ,  4C094EE25 ,  4C094FF01 ,  4C094GG03 ,  4C094GG17
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (1) Cited by examiner (7)
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