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J-GLOBAL ID：200903049452312381

半導体レーザ

Inventor： 菅生 繁男
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： ▲柳▼川 信
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994274124
Publication number (International publication number)：1996139404
Application date： Nov. 09, 1994
Publication date： May. 31, 1996
Summary：

【要約】【目的】 活性層のエピタキシャル成長時にバリア層が平坦性を失うことなく、良好な歪み補償構造を実現する。【構成】 バリア層3と、このバリア層3に挟まれた量子井戸層4とは半導体レーザの活性層を形成している。量子井戸層4は圧縮歪みを持つ主量子井戸層5と、この主量子井戸層5を挟み込みかつ主量子井戸層5の圧縮歪みを補償するための引張り歪みを持つ副量子井戸層6とが積層されて形成されている。

Claim (excerpt)：

バリア層と量子井戸層とが順次積層してなる活性層と、前記活性層の禁制帯幅よりも大きい禁制帯幅を有しかつ前記活性層を挟むように配設されたn型クラッド層及びp型クラッド層とが半導体基板上に形成された半導体レーザであって、前記量子井戸層を形成しかつ臨界膜厚以内の歪みを有する主量子井戸層と、前記量子井戸層を形成しかつ前記主量子井戸層を挟むように配設されて前記主量子井戸層の歪みを補償するための臨界膜厚以内の歪みを有する第1及び第2の副量子井戸層とを有することを特徴とする半導体レーザ。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 歪多重量子井戸光デバイス
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-347359   Applicant：株式会社フジクラ