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J-GLOBAL ID：200903049467863040

磁気抵抗センサ及び磁気抵抗ヘッド

Inventor： 瀬山 喜彦 ,  田中 厚志 ,  長坂 恵一 ,  清水 豊 ,  江口 伸 ,  金井 均 ,  近藤 玲子 ,  岸 均
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 松本 昂
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000286327
Publication number (International publication number)：2002092829
Application date： Sep. 21, 2000
Publication date： Mar. 29, 2002
Summary：

【要約】 (修正有)【課題】 大きな抵抗変化量を得ることのできるスピンバルブ磁気抵抗センサ及びスピンバルブ磁気抵抗ヘッドを提供する。【解決手段】 スピンバルブ磁気抵抗センサであって、第1の導体層と、該第1の導体層上に配置されたフリー強磁性層と、該フリー強磁性層上に配置された非磁性中間層と、該非磁性中間層上に配置されたピンド強磁性層と、該ピンド強磁性層上に配置された反強磁性層と、該反強磁性層上に配置された第2の導体層を含んでいる。フリー強磁性層及びピンド強磁性層の少なくとも一方が、面内方向に電流を流した場合に最も大きな抵抗変化率或いは抵抗変化量が得られる層厚よりも厚い層厚を有している。フリー強磁性層及びピンド強磁性層の少なくとも一方の層厚は、3nm〜12nmの範囲内である。

Claim (excerpt)：

第1の導体層と第2の導体層の間に、磁気抵抗効果膜が配置された磁気抵抗センサであって、前記磁気抵抗効果膜は、面内方向に電流を流した場合に最も大きな抵抗変化率或いは抵抗変化量が得られる層厚よりも厚い層厚を有していることを特徴とする磁気抵抗センサ。

IPC (5)：

G11B 5/39 ,  G01R 33/09 ,  H01F 10/32 ,  H01L 43/08 ,  H01L 43/12

FI (5)：

G11B 5/39 ,  H01F 10/32 ,  H01L 43/08 Z ,  H01L 43/12 ,  G01R 33/06 R

F-Term (19)：

2G017AC01 ,  2G017AC07 ,  2G017AC09 ,  2G017AD55 ,  2G017AD63 ,  2G017AD65 ,  5D034BA03 ,  5D034BA05 ,  5D034BA18 ,  5D034BB02 ,  5D034CA08 ,  5D034DA07 ,  5E049AA01 ,  5E049AA04 ,  5E049AC05 ,  5E049BA12 ,  5E049CB02 ,  5E049DB02 ,  5E049DB12

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 薄膜磁気ヘッド
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-036767   Applicant：松下電器産業株式会社
• 薄膜磁気ヘッドとその製造法及びそれを用いた磁気ディスク装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-239268   Applicant：株式会社日立製作所
• 磁気抵抗スピン・バルブ・センサおよびこのセンサを使用した磁気記録システム
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-206311   Applicant：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション