Pat
J-GLOBAL ID：200903049524309062

半導体加速度センサチップ及びその製造方法

Inventor：
田井 富茂

About 田井 富茂


Applicant, Patent owner：
日本航空電子工業株式会社

About 日本航空電子工業株式会社


Agent (1)： 草野 卓 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998316536
Publication number (International publication number)：2000150915
Application date： Nov. 06, 1998
Publication date： May. 30, 2000
Summary：
【要約】【課題】 1枚のウエハからの取り数を増やし、低価格化を図る。【解決手段】 方形の対向2辺に分割配置された一対の固定部11a,11bと、それら固定部11a,11bの間に位置され、一方の固定部11aにヒンジ部13を介して支持された質量部12と、両端が固定部11a,11bに固定されて質量部12の両板面に対向配置され、その対向面に電極膜19,20が形成された一対のストッパ15,16とを有する構成とする。半導体基板に多数配列されて一括形成される固定部11a,11b,ヒンジ部13及び質量部12よりなる振子部14は従来の枠状の固定部を有するものに比し、方形の2辺に固定部がない分、小型に構成できる。
Claim (excerpt)：
方形の対向2辺に分割配置された一対の固定部と、それら固定部の間に位置され、一方の固定部にヒンジ部を介して支持された板状質量部と、両端が上記一対の固定部に固定されて、上記質量部の両板面にそれぞれ対向配置され、その対向面にそれぞれ電極膜が形成された一対のストッパとよりなり、上記一対の固定部、ヒンジ部及び質量部が半導体基板より一括形成されたものであることを特徴とする半導体加速度センサチップ。
IPC (2)：
H01L 29/84 ,  G01P 15/125
FI (2)：
H01L 29/84 Z ,  G01P 15/125
F-Term (12)：
4M112AA02 ,  4M112BA07 ,  4M112CA23 ,  4M112CA31 ,  4M112CA35 ,  4M112CA36 ,  4M112DA02 ,  4M112DA16 ,  4M112DA18 ,  4M112EA02 ,  4M112EA13 ,  4M112EA14
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)

Return to Previous Page

TOP

BOTTOM