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J-GLOBAL ID：200903049629920344

半導体装置およびその作製方法

Inventor：
山崎 舜平

About 山崎 舜平


Applicant, Patent owner：
株式会社半導体エネルギー研究所

About 株式会社半導体エネルギー研究所


Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999327482
Publication number (International publication number)：2001094113
Application date： Nov. 17, 1999
Publication date： Apr. 06, 2001
Summary：
【要約】【課題】 薄膜トランジスタの信頼性を向上する。【解決手段】 ゲート電極はテーパー部を有する第1のゲート電極108と、第1のゲート電極108よりも幅の狭い第2のゲート電極109でなる。半導体層には、第1のゲート電極108を介してリンを低濃度にドーピングする。半導体層には、チャネル形成領域121とn+ 型不純物領域122、123との間に2種類のn- 型不純物領域124〜127が形成される。n- 型不純物領域124、125はゲート電極とオーバーラップし、n- 型不純物領域126、127がゲート電極とオーバーラップしていない。2種類のn- 型不純物領域を形成することにより、オフ電流を低下できると共に、特性の劣化が抑制できる。
Claim (excerpt)：
半導体層と、前記半導体層に接して形成されたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜を介して前記半導体層と交差するゲート電極とを有する薄膜トランジスタにおいて、前記ゲート電極の側面が前記ゲート絶縁膜となす角度は3度以上60度以下の範囲にあり、前記半導体層は、チャネル形成領域と、導電性の第1の不純物領域と、前記チャネル形成領域と前記第1の不純物領域に挟まれ、かつ前記チャネル形成領域に接する前記第1の不純物領域と同じ導電型の第2の不純物領域と、前記第1の不純物領域と前記第2の不純物領域に挟まれ、前記第1の不純物と同じ導電型の第3の不純物領域と、を有し、前記第2の不純物領域は前記ゲート絶縁膜を介して前記ゲート電極と重なり、前記第3の不純物領域は前記第ゲート電極と重ならず、前記第2の不純物領域及び前記第3の不純物領域は、前記導電型の不純物の濃度が前記第1の不純物領域よりも低いことを特徴とする薄膜トランジスタ。
IPC (3)：
H01L 29/786 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/336
FI (6)：
H01L 21/20 ,  H01L 29/78 617 K ,  H01L 29/78 613 A ,  H01L 29/78 616 A ,  H01L 29/78 617 L ,  H01L 29/78 627 G
F-Term (89)：
5F052AA02 ,  5F052AA17 ,  5F052AA24 ,  5F052BA02 ,  5F052BA07 ,  5F052BB01 ,  5F052BB07 ,  5F052DA01 ,  5F052DA02 ,  5F052DA03 ,  5F052DB02 ,  5F052DB03 ,  5F052DB07 ,  5F052GB05 ,  5F052JA01 ,  5F052JA10 ,  5F110AA06 ,  5F110AA26 ,  5F110BB02 ,  5F110BB04 ,  5F110CC02 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD12 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD15 ,  5F110DD17 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE05 ,  5F110EE06 ,  5F110EE09 ,  5F110EE14 ,  5F110EE15 ,  5F110EE23 ,  5F110EE44 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF09 ,  5F110FF10 ,  5F110FF28 ,  5F110FF30 ,  5F110FF31 ,  5F110GG02 ,  5F110GG03 ,  5F110GG04 ,  5F110GG13 ,  5F110GG15 ,  5F110GG25 ,  5F110GG32 ,  5F110GG34 ,  5F110GG43 ,  5F110GG45 ,  5F110GG47 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ04 ,  5F110HJ07 ,  5F110HJ13 ,  5F110HJ17 ,  5F110HJ18 ,  5F110HJ23 ,  5F110HL03 ,  5F110HL04 ,  5F110HL12 ,  5F110HL24 ,  5F110HM15 ,  5F110NN02 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN35 ,  5F110NN73 ,  5F110NN74 ,  5F110PP02 ,  5F110PP03 ,  5F110PP05 ,  5F110PP06 ,  5F110PP10 ,  5F110PP34 ,  5F110PP35 ,  5F110QQ04 ,  5F110QQ05 ,  5F110QQ11 ,  5F110QQ19 ,  5F110QQ28
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (1) Cited by examiner (1)

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