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J-GLOBAL ID：200903017923939500

エッチング方法、薄膜トランジスタマトリックス基板、およびその製造方法

Inventor：
石田 幸政

About 石田 幸政


Applicant, Patent owner：
富士通株式会社

About 富士通株式会社


Agent (1)： 高橋 敬四郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998218063
Publication number (International publication number)：2000047263
Application date： Jul. 31, 1998
Publication date： Feb. 18, 2000
Summary：
【要約】【課題】 エッチング、薄膜トランジスタマトリックス基板およびその製造方法に関し、段差を緩和することのできるエッチング方法を提供する。【解決手段】 下地表面上にAlまたはAl合金の層を形成する工程と、前記AlまたはAl合金の層の表面をTMAHで処理する工程と、前記TMAHで処理したAlまたはAl合金の層の表面上にレジストパターンを形成する工程と、前記レジストパターンをエッチングマスクとして用い、前記AlまたはAl合金の層をウエットエッチングする工程とを含む。
Claim (excerpt)：
(a)下地表面上にAlまたはAl合金の層を形成する工程と、(b)前記AlまたはAl合金の層の表面をTMAHで処理する工程と、(c)前記TMAHで処理したAlまたはAl合金の層の表面上にレジストパターンを形成する工程と、(d)前記レジストパターンをエッチングマスクとして用い、前記AlまたはAl合金の層をウエットエッチングする工程とを含むAlまたはAl合金の層のエッチング方法。
IPC (5)：
G02F 1/136 500 ,  C23F 1/20 ,  H01L 21/306 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336
FI (5)：
G02F 1/136 500 ,  C23F 1/20 ,  H01L 21/306 F ,  H01L 29/78 617 J ,  H01L 29/78 627 C
F-Term (48)：
2H092HA28 ,  2H092JA25 ,  2H092JA33 ,  2H092JA35 ,  2H092JA38 ,  2H092JA39 ,  2H092JA46 ,  2H092JB24 ,  2H092JB27 ,  2H092JB33 ,  2H092JB36 ,  2H092JB44 ,  2H092JB58 ,  2H092KA04 ,  2H092KA05 ,  2H092KA10 ,  2H092KA12 ,  2H092KA18 ,  2H092KB04 ,  2H092KB25 ,  2H092MA07 ,  2H092MA08 ,  2H092MA15 ,  2H092MA18 ,  2H092MA19 ,  2H092MA20 ,  2H092MA27 ,  2H092MA30 ,  2H092MA37 ,  2H092MA41 ,  2H092NA19 ,  2H092NA27 ,  2H092NA29 ,  4K057WA20 ,  4K057WB05 ,  4K057WB08 ,  4K057WB15 ,  4K057WC10 ,  4K057WE02 ,  4K057WE04 ,  4K057WN01 ,  5F043AA24 ,  5F043AA27 ,  5F043BB16 ,  5F043CC11 ,  5F043DD02 ,  5F043FF04 ,  5F043GG04
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (21)
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