Pat
J-GLOBAL ID：200903049638762883

電子回路

Inventor：
宮崎 稔

About 宮崎 稔

, 
村上あかね

About 村上あかね

, 
崔 葆春

About 崔 葆春

, 
山本 睦夫

About 山本 睦夫


Applicant, Patent owner：
株式会社半導体エネルギー研究所

About 株式会社半導体エネルギー研究所


Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993023289
Publication number (International publication number)：1994232129
Application date： Jan. 18, 1993
Publication date： Aug. 19, 1994
Summary：
【要約】【目的】 金属配線と半導体層との間に良好なコンタクトを形成し、電子回路の信頼性を向上せしめる。【構成】 薄いシリコンを主成分とする半導体膜を絶縁基板上に有する電子回路で、前記半導体膜に密着して、チタンと窒素を主な材料として含有する第1の層と、前記第1の層に密着してアルミニウムを主成分とする第2の層からなる配線を有するもの。
Claim (excerpt)：
厚さ1500Å以下のシリコンを主成分とする半導体被膜に接触するチタンと窒素を主な成分として含有する第1の層と、前記第1の層に密着して設けられ、アルミニウムを主成分とする第2の層とからなる配線を有することを特徴とする電子回路。
IPC (3)：
H01L 21/3205 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/90
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (21)
  • 特開昭63-185066
  • 特開平4-112529
  • 特開昭62-259469
Show all

Return to Previous Page

TOP

BOTTOM