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J-GLOBAL ID：200903049655713659

銅膜付着シリコン単結晶ウエーハの再生方法および再生ウエーハ

Inventor： 丸山 文明 ,  内田 貴信 ,  橋本 仁
Applicant, Patent owner： 三益半導体工業株式会社
Agent (1)： 好宮 幹夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000355475
Publication number (International publication number)：2002158207
Application date： Nov. 22, 2000
Publication date： May. 31, 2002
Summary：

【要約】【課題】 シリコン単結晶ウエーハ上の銅膜を容易に溶解除去可能なエッチング薬液組成を探索し、効率的で確実な除去方法と銅汚染の全く無いシリコン単結晶ウエーハを得ることができる再生方法を提供する。【解決手段】 銅膜の付着したシリコン単結晶ウエーハを再生する方法であって、少なくとも硫酸-過酸化水素液で銅膜を溶解除去する工程、銅膜を除去したウエーハの表面を鏡面研磨する工程を含むことを特徴とする銅膜付着シリコン単結晶ウエーハの再生方法およびこの方法で再生された再生ウエーハ。

Claim (excerpt)：

銅膜の付着したシリコン単結晶ウエーハを再生する方法であって、少なくとも硫酸-過酸化水素液で銅膜を溶解除去する工程、銅膜を除去したウエーハの表面を鏡面研磨する工程を含むことを特徴とする銅膜付着シリコン単結晶ウエーハの再生方法。

IPC (3)：

H01L 21/306 ,  C23F 1/44 ,  H01L 21/304 622

FI (3)：

C23F 1/44 ,  H01L 21/304 622 N ,  H01L 21/306 F

F-Term (21)：

4K057WA19 ,  4K057WA20 ,  4K057WB04 ,  4K057WB06 ,  4K057WD05 ,  4K057WD10 ,  4K057WE02 ,  4K057WE03 ,  4K057WE07 ,  4K057WE22 ,  4K057WE25 ,  4K057WG03 ,  4K057WK10 ,  4K057WM03 ,  4K057WM09 ,  4K057WN01 ,  5F043AA26 ,  5F043AA31 ,  5F043BB18 ,  5F043BB22 ,  5F043EE08

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 半導体ウエハ基板の再生法および半導体ウエハ基板再生用研磨液
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-238801   Applicant：コウベプレシジョンインク, 株式会社神戸製鋼所
• 特開昭61-000591