半導体装置及びその製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：高矢諭 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996095522
Publication number (International publication number)：1997283623
Application date： Apr. 17, 1996
Publication date： Oct. 31, 1997
Summary：

【要約】【課題】 Via部における電気抵抗を減少させ、半導体装置の動作の信頼性を向上させる。【解決手段】基板上の第2層間絶縁膜3に形成されているVia孔に埋設されたW-プラグ6と、該W-プラグ6に電気的に接続され、且つ第2層間絶縁膜3上に積層形成された配線5とを備えた半導体装置において、前記W-プラグ6を第2層間絶縁膜3の上面より突出させ、該W-プラグ6の突出部を前記配線5に接触させる。

Claim (excerpt)：

基板上の絶縁膜に形成されているVia孔に埋設されたプラグと、該プラグに電気的に接続され、且つ、絶縁膜上に積層形成された配線とを備えた半導体装置において、前記プラグが絶縁膜上面より突出して形成されていると共に、該プラグの突出部が前記配線に接触されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (2)：

H01L 21/768 , H01L 21/3065

FI (2)：

H01L 21/90 B , H01L 21/302 L

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

半導体装置及び半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-031445 Applicant：三菱電機株式会社
半導体装置の製造方法および半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-249984 Applicant：株式会社東芝

Return to Previous Page