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J-GLOBAL ID：200903049758981953

有機トランジスタおよび有機トランジスタの製造方法

Inventor： 菊池 宏 ,  藤崎 好英
Applicant, Patent owner： 日本放送協会
Agent (1)： 伊東 忠彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004203748
Publication number (International publication number)：2006024862
Application date： Jul. 09, 2004
Publication date： Jan. 26, 2006
Summary：

【課題】 キャリアの移動度が高く、しきい値電圧と動作電圧が抑制された有機トランジスタを提供する。【解決手段】 基板上にゲート電極を形成する工程と、前記ゲート電極上にゲート絶縁膜を形成する工程と、前記ゲート絶縁膜上に有機半導体膜を形成する工程と、前記有機半導体膜に接続される、第1の電極および第2の電極を形成する工程と、を有する有機トランジスタの製造方法であって、前記ゲート絶縁膜に前記有機半導体膜の配向性を制御するための表面処理を行う、表面処理工程を有することを特徴とする有機トランジスタの製造方法。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

基板上にゲート電極を形成する工程と、 前記ゲート電極上にゲート絶縁膜を形成する工程と、 前記ゲート絶縁膜上に有機半導体膜を形成する工程と、 前記有機半導体膜に接続される、第1の電極および第2の電極を形成する工程と、を有する有機トランジスタの製造方法であって、 前記ゲート絶縁膜に前記有機半導体膜の配向性を制御するための表面処理を行う、表面処理工程を有することを特徴とする有機トランジスタの製造方法。

IPC (3)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 51/05

FI (4)：

H01L29/78 617V ,  H01L29/78 617T ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/28

F-Term (37)：

5F110AA01 ,  5F110AA08 ,  5F110BB01 ,  5F110CC03 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD05 ,  5F110DD12 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD15 ,  5F110DD17 ,  5F110DD18 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE43 ,  5F110EE44 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF27 ,  5F110FF30 ,  5F110FF36 ,  5F110GG05 ,  5F110GG25 ,  5F110GG42 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK06 ,  5F110HK07 ,  5F110HK09 ,  5F110HK32 ,  5F110HK33 ,  5F110QQ06

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• 薄膜トランジスタ・デバイスの構造
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-076201   Applicant：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション

Cited by examiner (1)

• 導電性有機化合物及び電子素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-317096   Applicant：富士通株式会社