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J-GLOBAL ID：200903023211064981

薄膜トランジスタ・デバイスの構造

Inventor： クリストス・ディミトリオス・ディミトラコポウラス ,  ピーター・リチャード・ダンコーム ,  ブルース・ケイ・ファーマン ,  ロバート・ビー・レイボウイッツ ,  デボラ・アン・ヌーメイヤー ,  サンパス・プルショサマン
Applicant, Patent owner： インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
Agent (1)： 坂口 博 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998076201
Publication number (International publication number)：1998270712
Application date： Mar. 24, 1998
Publication date： Oct. 09, 1998
Summary：

【要約】【課題】 有機半導体材料を基材とした薄膜トランジスタ(TFT)デバイスを提供する。【解決手段】 TFTは、基板と、基板上に設けられたゲート電極と、ゲート電極を覆う高誘電率の絶縁体と、絶縁体上の有機半導体層と、半導体層上のソース/ドレイン電極とを備えている。デバイス構造を被覆し保護するパシベーション層を任意に備えることができる。高誘電率の絶縁体は、有機半導体の予期せぬゲート電圧依存性を示し、非常に低い動作電圧で高い電界効果移動度を実現する。絶縁体の材料の選択およびTFT構造に集積化する手段の適切な組合せは、ガラスまたはプラスチック基板上への容易な製造およびこのようなデバイスをフラットパネル表示装置に利用することを可能にする。

Claim (excerpt)：

複数の導電性ゲート電極が設けられた基板と、前記ゲート電極上に設けられた高誘電率のゲート絶縁体よりなる層と、前記絶縁体上に、かつ前記ゲート電極をほぼ覆って設けられた有機半導体よりなる層と、前記複数のゲート電極の各々に位置合わせして、前記有機半導体上に設けられた、導電性のソース電極とドレイン電極とからなる複数の組と、を備える、ことを特徴とする薄膜トランジスタ・デバイス構造。

IPC (2)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336

FI (8)：

H01L 29/78 619 A ,  H01L 29/78 617 N ,  H01L 29/78 617 M ,  H01L 29/78 617 T ,  H01L 29/78 618 B ,  H01L 29/78 619 B ,  H01L 29/78 626 C ,  H01L 29/78 627 C

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (4)

• 電界効果トランジスタ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-001237   Applicant：松下電器産業株式会社
• 有機薄膜トランジスタ装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-345004   Applicant：エイ・ティ・アンド・ティ・コーポレーション
• 特開平4-199638
  
• 特開昭62-085224
  

Cited by examiner (4)

• 電界効果トランジスタ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-001237   Applicant：松下電器産業株式会社
• 有機薄膜トランジスタ装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-345004   Applicant：エイ・ティ・アンド・ティ・コーポレーション
• 特開平4-199638
  
• 特開昭62-085224