半導体ウェーハの研磨方法および研磨装置

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：安倍逸郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995050546
Publication number (International publication number)：1996216016
Application date： Feb. 14, 1995
Publication date： Aug. 27, 1996
Summary：

【要約】【目的】高平坦度で所望の厚さの活性層を有するSOI構造または通常の構造の半導体ウェーハを得る簡便な研磨方法および装置を提供する。【構成】研削後のSOIウェーハ12をチャック11に保持し、PH=10程度の研磨液を使用し、チャック11・定盤13を回転させて研磨する。研磨中、ウェーハ12の一部は研磨布14からはみ出す。はみ出した部分の厚さを光干渉法を用いた装置15で測定し、測定値に基づいて制御装置は研磨荷重等をリアルタイムに制御する。ウェーハ12の活性層を高平坦度でかつその厚さも高精度に制御できる。測定部分の厚さが設定値より大きい場合は研磨荷重等を高める。また、光検出器15を半径方向に移動させて厚さ測定を行い、ウェーハ全面の厚さを均一化できる。

Claim (excerpt)：

半導体ウェーハ表面にこの半導体ウェーハより大きな面積の研磨布を押し付けて研磨する半導体ウェーハの研磨方法において、研磨中、常時上記半導体ウェーハの一部を研磨布からはみ出させるとともに、その半導体ウェーハのはみ出した部分の厚さを測定し、この測定値に基づいて研磨される半導体ウェーハの厚さを制御する半導体ウェーハの研磨方法。

IPC (4)：

B24B 37/04 , B24B 1/00 , H01L 21/304 321 , H01L 21/304

FI (4)：

B24B 37/04 D , B24B 1/00 A , H01L 21/304 321 M , H01L 21/304 321 E

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

特開平4-255218
特開平4-255218
半導体基板の平坦化方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-037627 Applicant：松下電器産業株式会社

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