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J-GLOBAL ID：200903049811718895
減衰型位相シフトマスクおよびその製造方法
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
深見 久郎 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994008430
Publication number (International publication number)：1995181669
Application date： Jan. 28, 1994
Publication date： Jul. 21, 1995
Summary：
【要約】【目的】 減衰型位相シフトマスクにおいて、正規の露光領域の周囲に形成される露光光の発生を防止し、移動しながら連続して露光を行なう場合の隣接する露光領域への露光を防止するパターンを有する減衰型位相シフトマスクを提供する。【構成】 減衰型位相シフトパターン2と、この減衰型位相シフトパターン2の周縁部の所定の位置に形成された、透過部37と位相シフタ部34とを含む減衰型補助位相シフトパターン3とを備え、この減衰型補助位相シフトパターン3は、露光装置の解像限界より小さいパターンを有している。
Claim (excerpt)：
フォトマスク基板上の所定の位置に形成された減衰型位相シフトパターンと、前記減衰型位相シフトパターンの周縁部の所定の位置に形成された、透過部と位相シフタ部とを含む減衰型補助位相シフトパターンと、を備え、前記減衰型補助位相シフトパターンは、露光装置の解像限界より小さいパターンを有する、減衰型位相シフトマスク。
IPC (2)：
FI (2)：
H01L 21/30 502 P
, H01L 21/30 528
Cited by examiner (7)
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