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J-GLOBAL ID：200903049834783651

半導体式ガス検知素子

Inventor： 神田 奎千
Applicant, Patent owner： 新コスモス電機株式会社
Agent (2)： 北村 修一郎 ,  山▲崎▼ 徹也
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003089799
Publication number (International publication number)：2004294364
Application date： Mar. 28, 2003
Publication date： Oct. 21, 2004
Summary：

【課題】基板型半導体式ガス検知素子の被検知ガスに対する反応性を効果的に向上させて、そのガス選択性や、感度を改善する技術を提供すること。【解決手段】一対の検出電極2,3を設けてなる絶縁基板上に、金属酸化物半導体を主成分とする感応層5を、前記検出電極2,3を覆って設け、前記感応層5中における電極間通電領域に被検知ガスの反応を触媒する触媒部4を設けた。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

一対の検出電極を設けてなる絶縁基板上に、金属酸化物半導体を主成分とする感応層を、前記検出電極を覆って設けた半導体式ガス検知素子であって、前記感応層中における前記電極間通電領域に被検知ガスの反応を触媒する触媒部を設けた基板型半導体式ガス検知素子。

IPC (1)：

G01N27/12

FI (2)：

G01N27/12 B ,  G01N27/12 C

F-Term (15)：

2G046AA05 ,  2G046AA18 ,  2G046AA23 ,  2G046BA01 ,  2G046BA04 ,  2G046BA06 ,  2G046BA09 ,  2G046BB02 ,  2G046EA02 ,  2G046EA04 ,  2G046EA09 ,  2G046FB02 ,  2G046FE29 ,  2G046FE31 ,  2G046FE46

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 特開平4-343061
  
• ガスセンサの製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-141434   Applicant：フイガロ技研株式会社