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J-GLOBAL ID：200903049887579860

半導体のエッチング方法およびそれを用いた薄膜形成方法

Inventor： 山本 知生
Applicant, Patent owner： 日本電信電話株式会社
Agent (1)： 高山 敏夫 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995078135
Publication number (International publication number)：1996250459
Application date： Mar. 08, 1995
Publication date： Sep. 27, 1996
Summary：

【要約】【目的】 不純物および欠陥のない清浄な積層物質/半導体界面をうること。【構成】 化合物半導体をドライエッチングなどの手段により加工し、この加工面に薄膜(半導体あるいは絶縁体,金属)を積層することにより半導体デバイスを製作する工程において、この加工面を硫黄(S)やセレン(Se)等のVI族元素を含むガスあるいは溶液を接触させる工程と、この工程の直後にエッチング面を強酸性のガスあるいは溶液に接触させる工程とにより加工面を清浄化し、然る後に、この加工面上に半導体あるいは絶縁体,金属を積層するものである。また前記2つの工程を薄膜形成を行う装置内で行う薄膜形成方法である。

Claim (excerpt)：

化合物半導体のエッチング方法において、前記化合物半導体の表面とVI族元素を含むガスあるいは溶液を接触させる工程と、前記工程の直後に前記半導体表面を強酸性のガスあるいは溶液に接触させる工程を含むことを特徴とする半導体のエッチング方法。

IPC (4)：

H01L 21/304 341 ,  H01L 21/304 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 21/308

FI (6)：

H01L 21/304 341 D ,  H01L 21/304 341 L ,  H01L 21/304 341 M ,  H01L 21/304 341 Z ,  H01L 21/308 G ,  H01L 21/302 N

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

• 半導体製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-132541   Applicant：シャープ株式会社
• 化合物半導体の表面処理方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-308102   Applicant：日本電気株式会社

Cited by examiner (1)

• 半導体製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-132541   Applicant：シャープ株式会社