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J-GLOBAL ID：200903049918369206

電気光学装置、電気光学装置の製造方法及び電子機器

Inventor： 平林 幸哉 ,  片山 茂憲 ,  安川 昌宏
Applicant, Patent owner： セイコーエプソン株式会社
Agent (1)： 鈴木 喜三郎 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000016174
Publication number (International publication number)：2000286425
Application date： Jan. 25, 2000
Publication date： Oct. 13, 2000
Summary：

【要約】【課題】 絶縁膜により覆われた単結晶シリコン層からなるトランジスタ素子のチャネル領域が電気的に浮いた状態となるために発生する基板浮遊効果を防止し、素子の電気的特性を安定させる。【解決手段】 半導体層1aのチャネル領域1a’は、延在部201を有する。延在部201の終端部は、コンタクトホール202に接続されている。このコンタクトホール202は、接続配線203に接続されている。接続配線203は、一端が上記のようにコンタクトホール202に接続されると共に、Y方向に向けて容量線3bの直上まで配設され、該直上よりコンタクトホール204を介して容量線3bに接続されている。

Claim (excerpt)：

基板上に複数の走査線と、前記複数の走査線に交差する複数のデータ線と、前記各走査線と前記各データ線に接続されたトランジスタと、前記トランジスタに接続された画素電極と蓄積容量とを有する電気光学装置であって、前記トランジスタのチャネル領域となる半導体層の延在部は前記蓄積容量の電極となる容量線に接続されてなることを特徴とする電気光学装置。

IPC (7)：

H01L 29/786 ,  G02F 1/1368 ,  G09F 9/30 338 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/8234 ,  H01L 27/06 ,  H01L 21/336

FI (8)：

H01L 29/78 626 B ,  G09F 9/30 338 ,  H01L 21/28 301 A ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 27/06 102 A ,  H01L 29/78 612 C ,  H01L 29/78 616 A ,  H01L 29/78 627 D

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (3)

• 高解像度アクティブ・マトリクスLCDセル設計
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願平8-514683   Applicant：ハネウエル・インコーポレーテッド
• 半導体装置及び液晶表示装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-040450   Applicant：キヤノン株式会社
• 特開昭62-104173
  

Cited by examiner (3)

• 高解像度アクティブ・マトリクスLCDセル設計
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願平8-514683   Applicant：ハネウエル・インコーポレーテッド
• 半導体装置及び液晶表示装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-040450   Applicant：キヤノン株式会社
• 特開昭62-104173