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J-GLOBAL ID：200903049974874681

半導体装置の製造方法

Inventor： 中西 俊郎 ,  田村 泰之 ,  大久保 聡 ,  渡辺 悟 ,  入野 清
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 高橋 敬四郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995287484
Publication number (International publication number)：1997129632
Application date： Nov. 06, 1995
Publication date： May. 16, 1997
Summary：

【要約】【課題】 TDDB寿命の長い良質の酸化膜を形成することができる半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 処理対象物の表面を、少なくともオゾンと不活性ガスとを含む混合ガスに、大気圧下で接触させて、該処理対象物の表面を酸化する工程を含む。

Claim (excerpt)：

処理対象物の表面を、少なくともオゾンと不活性ガスとを含む混合ガスに、大気圧下で接触させて、該処理対象物の表面を酸化する工程を含む半導体装置の製造方法。

IPC (2)：

H01L 21/316 ,  H01L 29/78

FI (2)：

H01L 21/316 A ,  H01L 29/78 301 G

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開平4-145624
  
• 特開平3-134153
  
• シリコン酸化膜の作製方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-231944   Applicant：富士通株式会社