薄膜トランジスタおよびその製造方法

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：滝本智之 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996241767
Publication number (International publication number)：1998093089
Application date： Sep. 12, 1996
Publication date： Apr. 10, 1998
Summary：

【要約】【課題】画素電極下方にシランと過酸化水素から生成した平坦性に優れた絶縁膜を形成し画素開口率を向上する薄膜トランジスタを提供する。【解決手段】石英基板1上にポリシリコン能動層2とゲート絶縁膜3とゲート電極4と保持容量電極5とが形成され、ゲート電極4と保持容量電極5の上方に第1の層間絶縁膜6を介し信号配線層7が形成され、第1のプラズマCVD酸化膜11/シランと過酸化水素から生成される平坦性に優れたCVD絶縁膜12/第2のプラズマCVD酸化膜13の三層から成る平坦化された第2の層間絶縁膜14を介して画素の開口部上に窓を有する遮光膜9が形成され、さらに開口部上及び遮光膜9上に透明画素電極10とが形成された構造で、遮光膜の幅を縮小でき画素開口率を向上できるだけでなく、液晶配向膜のラビングが画素部全体に均一にでき液晶のリバースティルトによる光抜け(ドメイン)を抑制できる。

Claim (excerpt)：

石英基板上に形成したポリシリコン能動層と、前記ポリシリコン能動層上にゲート絶縁膜を介して形成したゲート電極と、前記ゲート絶縁膜を介して形成した画素の保持容量電極と、前記ゲート電極と前記保持容量電極上に第1の層間絶縁膜を介して形成した信号配線層と、前記信号配線層の上方に第2の層間絶縁膜を介して設けた開口部上に窓を有する遮光膜と、開口部上及び遮光膜上に画素電極とを備えた薄膜トランジスタ(TFT)であって、第2の層間絶縁膜の一部がシランと過酸化水素を原料ガスとした平坦性に優れたCVD絶縁膜で形成されていることを特徴とした薄膜トランジスタ。

IPC (4)：

H01L 29/786 , H01L 21/31 , H01L 21/316 , H01L 21/336

FI (4)：

H01L 29/78 619 A , H01L 21/31 C , H01L 21/316 X , H01L 29/78 627 E

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

液晶表示装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-309024 Applicant：松下電子工業株式会社
液晶表示装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-039761 Applicant：松下電子工業株式会社
半導体装置の製造方法および半導体製造装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-012410 Applicant：株式会社東芝

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