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J-GLOBAL ID：200903049998488324

フッ素含有シリコン酸化膜の製造方法

Inventor： 原田 勝可 ,  服部 覚
Applicant, Patent owner： 東亞合成株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995059798
Publication number (International publication number)：1996236519
Application date： Feb. 23, 1995
Publication date： Sep. 13, 1996
Summary：

【要約】【構成】 プラズマ化学気相成長法により基板上にフッ素含有シリコン酸化膜を製造する方法において、トリアルコキシシランおよび酸化性ガスからなる原料ガスに、フルオロカーボンを添加せしめて用いることを特徴とするフッ素含有シリコン酸化膜の製造方法。【効果】 成膜速度が大きいので高い生産性で含フッ素シリコン酸化膜を基材上に得ることができる。また得られた膜は、フッ素含有量が多く、低誘電率の良質なフッ素含有シリコン酸化膜であり、さらに、含有水分量は小さくかつ吸湿性の少ないものである。

Claim (excerpt)：

プラズマ化学気相成長法により基板上にフッ素含有シリコン酸化膜を製造する方法において、トリアルコキシシランおよび酸化性ガスからなる原料ガスに、フルオロカーボンを添加せしめて用いることを特徴とするフッ素含有シリコン酸化膜の製造方法。

IPC (2)：

H01L 21/316 ,  C23C 16/50

FI (2)：

H01L 21/316 X ,  C23C 16/50

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• シリコン酸化膜の形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-238536   Applicant：株式会社ジーティシー