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J-GLOBAL ID:200903050034751601

光半導体装置

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 長谷川 芳樹 (外2名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2001088442
Publication number (International publication number):2002289908
Application date: Mar. 26, 2001
Publication date: Oct. 04, 2002
Summary:
【要約】【課題】 外部からノイズの影響を受け難い上に、組立て作業時の電極部の視認性を向上させた光半導体装置を提供すること。【解決手段】 本発明に係る光半導体装置は、フォトダイオード(PD)8が形成された受光領域4と、チップ搭載領域5とを主面2aに有する受光素子チップ2と、PD8の出力信号を処理する信号出力回路12と、その入力端子部13aおよび出力端子部13bとを有する信号処理ICチップ3とを備え、チップ搭載領域5に接続端子部7を形成すると共に、少なくともチップ搭載領域5は接続端子部7を露出させた状態で光吸収膜11に覆われ、信号処理ICチップ3がチップ搭載領域5に搭載されることを特徴とする。そのため、受光素子チップ2に光が照射されても、その主面2aの反射光は回路形成面14に入射せず、信号処理ICチップ3のノイズ発生が抑制される。また、光吸収膜11は反射光量が少ないため、接続端子部7の視認性が向上する。
Claim (excerpt):
外部からの光を光電変換するフォトダイオードが形成された受光領域と、この受光領域に隣接して形成されたチップ搭載領域とを主面に有する受光素子チップと、前記フォトダイオードの出力信号を処理する信号処理回路と、この信号処理回路に電気的に接続された入力端子部および出力端子部とを主面に有する信号処理ICチップとを備え、前記チップ搭載領域には前記入力端子部および前記出力端子部と接続させるための接続端子部を形成すると共に、少なくとも前記チップ搭載領域は前記接続端子部を露出させた状態で光吸収膜で覆い、前記信号処理ICチップは、前記信号処理回路の形成された回路形成面が前記受光素子チップと対向する状態で前記入力端子部および前記出力端子部と前記接続端子部が接続されるように前記チップ搭載領域に搭載することを特徴とする光半導体装置。
IPC (4):
H01L 31/10 ,  H01L 23/29 ,  H01L 23/31 ,  H01L 27/14
FI (3):
H01L 31/10 G ,  H01L 23/30 E ,  H01L 27/14 D
F-Term (30):
4M109AA01 ,  4M109BA07 ,  4M109CA10 ,  4M109ED01 ,  4M109EE13 ,  4M109GA01 ,  4M118AA05 ,  4M118AB05 ,  4M118BA02 ,  4M118BA03 ,  4M118CA03 ,  4M118DD02 ,  4M118FC05 ,  4M118FC15 ,  4M118FC18 ,  4M118GB01 ,  4M118GB03 ,  4M118HA03 ,  4M118HA07 ,  4M118HA12 ,  4M118HA21 ,  4M118HA31 ,  5F049MA02 ,  5F049MB03 ,  5F049NA04 ,  5F049NB01 ,  5F049RA06 ,  5F049SS03 ,  5F049SZ10 ,  5F049UA05
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (3)
  • 光検出用モジュール
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願平11-115778   Applicant:ローム株式会社
  • 受光素子及びその製造方法
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願平6-154549   Applicant:株式会社ニコン
  • 半導体位置検出器
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願平9-097566   Applicant:浜松ホトニクス株式会社

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