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J-GLOBAL ID:200903050052211240
超伝導量子干渉素子顕微鏡用センサーとその製造方法
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
林 敬之助
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1999029985
Publication number (International publication number):2000227468
Application date: Feb. 08, 1999
Publication date: Aug. 15, 2000
Summary:
【要約】【課題】 試料とSQUID顕微鏡用センサーの高さを制御することにより、表面形状を同時に観察でき、かつ高空間磁気分解能を有し、試料とSQUID顕微鏡用センサーの温度を独立に制御できるSQUID顕微鏡用センサー素子とその製造方法を得ること。【解決手段】 基板表面の凹凸を検出する変位検出手段を有し、さらに、変位検出手段が超伝導量子干渉素子と同一基部上に、一体で形成されていることを特長とする超伝導量子干渉素子顕微鏡用センサーを用いた。
Claim (excerpt):
基部上に形成されたジョセフソン接合を含む超伝導リングからなる超伝導量子干渉素子で構成される超伝導量子干渉素子顕微鏡用センサーにおいて、基板表面の凹凸を検出する変位検出手段を有し、さらに、前記変位検出手段が前記超伝導量子干渉素子と同一基部上に、一体で形成されていることを特長とする超伝導量子干渉素子顕微鏡用センサー。
IPC (4):
G01R 33/035 ZAA
, G01N 27/72
, G01N 37/00
, H01L 39/22 ZAA
FI (5):
G01R 33/035 ZAA
, G01N 27/72
, G01N 37/00 B
, G01N 37/00 X
, H01L 39/22 ZAA D
F-Term (16):
2G017AA08
, 2G017AB05
, 2G017AD34
, 2G017AD39
, 2G053AA21
, 2G053AA30
, 2G053AB14
, 2G053CA10
, 2G053DB06
, 4M113AC08
, 4M113AD67
, 4M113AD68
, 4M113BC02
, 4M113BC04
, 4M113BC05
, 4M113CA17
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (4)
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微小磁場測定手段を用いた材料評価方法およびその装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平7-131746
Applicant:日本電信電話株式会社
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走査型磁気顕微鏡
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平9-178419
Applicant:株式会社島津製作所
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特開平2-310484
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針状単結晶の作製法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平3-253605
Applicant:日本電信電話株式会社
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