磁場処理による液晶配向膜の製造方法

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：津国肇 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997186476
Publication number (International publication number)：1998104631
Application date： Jul. 11, 1997
Publication date： Apr. 24, 1998
Summary：

【要約】【課題】液晶配向性能及び配向安定性が優れ、大量生産可能な新規かつ簡便な液晶配向膜の製造方法を提供すること。【解決手段】 1.透明電極上に熱可塑性高分子膜を厚さ5Å以上にコーティングし、2.2枚の該透明電極の間に液晶を注入してガラス/透明電極/高分子膜/液晶/高分子膜/透明電極/ガラスの構造の臨時セル、又は該透明電極の該高分子膜上に液晶を接触させてガラス/透明電極/高分子膜/液晶の構造を有する積層基板を調製し、3.該セル又は該積層基板に0.2テスラ以上の磁場を加えながら液晶及び高分子膜の相混合温度以下に加熱し放置し、4.該セル又は該積層基板を磁場中で100°C/分以下の冷却速度で冷却して液晶配向膜を製造する方法。

Claim (excerpt)：

液晶配向膜を製造する方法であって、1.透明電極上に熱可塑性高分子膜を厚さ5Å以上にコーティングする工程、2.該高分子膜のコーティングされた2枚の該透明電極の間に液晶を注入してガラス/透明電極/高分子膜/液晶/高分子膜/透明電極/ガラスの構造を有する臨時セルを調製するか、又は該透明電極の該高分子膜上に液晶を接触させてガラス/透明電極/高分子膜/液晶の構造を有する積層基板を調製する工程、3.該臨時セル又は該積層基板に0.2テスラ以上の磁場を加えながら液晶及び高分子膜の相混合温度以下に加熱し放置する工程、4.該臨時セル又は該積層基板を磁場中で100°C/分以下の冷却速度で冷却する工程を、順次に行うことを特徴とする方法。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

特開平2-043517
特開平4-350822
特開昭51-110352

Show all

Return to Previous Page