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J-GLOBAL ID：200903050055623891

半導体レーザ、光ヘッド、光ディスク装置、および半導体レーザの製造方法

Inventor：
上柳 喜一

About 上柳 喜一


Applicant, Patent owner：
富士ゼロックス株式会社

About 富士ゼロックス株式会社


Agent (1)： 平田 忠雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000056363
Publication number (International publication number)：2001250251
Application date： Mar. 01, 2000
Publication date： Sep. 14, 2001
Summary：
【要約】【課題】 微小開口から放射されるレーザ光の強度を増大させることにより、記録媒体の高記録密度化が可能となり、小型化およびデータ転送レートの向上を図った半導体レーザ、光ヘッド、光ディスク装置、および半導体レーザの製造方法を提供する。【解決手段】 この半導体レーザ2は、微小開口5内に低反射多層膜10bを埋め込み、さらに、開口部5aの表面3側に高屈折率のTiO2膜5bを配置している。レーザ光は、TiO2膜5b中で波長が短くなり、金属遮光体4に設けた開口5から近接場光が染み出し易くなる。
Claim (excerpt)：
【請求項1】レーザ光出力側に位置し共振器の一部を構成する微小開口が形成された金属遮光体を備え、前記微小開口内にレーザ光透過性の材料が埋め込まれてなることを特徴とする半導体レーザ。
IPC (6)：
G11B 7/125 ,  G11B 7/12 ,  G11B 7/135 ,  G11B 7/22 ,  H01S 5/028 ,  H01S 5/183
FI (6)：
G11B 7/125 A ,  G11B 7/12 ,  G11B 7/135 Z ,  G11B 7/22 ,  H01S 5/028 ,  H01S 5/183
F-Term (20)：
5D119AA11 ,  5D119AA22 ,  5D119BA01 ,  5D119CA06 ,  5D119FA05 ,  5D119FA18 ,  5D119FA19 ,  5D119FA21 ,  5D119MA06 ,  5D119NA04 ,  5F073AA13 ,  5F073AA67 ,  5F073AA83 ,  5F073AB17 ,  5F073BA06 ,  5F073CA14 ,  5F073CB02 ,  5F073DA22 ,  5F073DA33 ,  5F073EA18
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)

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