高品質シリコン単結晶の製造装置

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：森道雄 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000030558
Publication number (International publication number)：2001220289
Application date： Feb. 08, 2000
Publication date： Aug. 14, 2001
Summary：

【要約】【課題】転位クラスターや赤外線散乱体のようなGrown-in欠陥の少ないウェーハを採取できる、大径長尺の高品質単結晶を安定して製造し得る装置の提供。【解決手段】単結晶の周囲をとり囲んで、その内周面が引き上げ軸と同軸である冷却用部材と、この冷却用部材の外面の外側および下端面の下側に熱遮蔽材とが設けられ、引き上げる単結晶の直径をDとするとき、冷却用部材はその内周面の径が1.20D〜2.50D、長さが0.25D以上であり、融液表面から冷却用部材の下端面までの距離が0.30D〜0.85Dで、冷却用部材の下端面下側の熱遮蔽材は、冷却用部材の下端部の内径より小さい内径であるシリコン単結晶の製造装置。

Claim (excerpt)：

融液からの引き上げによるシリコン単結晶の製造において、単結晶の周囲をとり囲んで、その内周面が引き上げ軸と同軸である冷却用部材と、この冷却用部材の外面の外側および下端面の下側に熱遮蔽材とが設けられ、引き上げる単結晶の直径をDとするとき、冷却用部材はその内周面の径が1.20D〜2.50D、長さが0.25D以上であり、融液表面から冷却用部材の下端面までの距離が0.30D〜0.85Dで、冷却用部材の下端面下側の熱遮蔽材は、冷却用部材の下端部の内径より小さい内径であることを特徴とする、シリコン単結晶の製造装置。

IPC (3)：

C30B 29/06 502 , C30B 15/22 , H01L 21/208

FI (3)：

C30B 29/06 502 C , C30B 15/22 , H01L 21/208 P

F-Term (18)：

4G077AA02 , 4G077BA04 , 4G077CF10 , 4G077EG20 , 4G077EG25 , 4G077EH06 , 4G077PA10 , 4G077PA16 , 4G077PF51 , 5F053AA12 , 5F053BB04 , 5F053DD01 , 5F053FF04 , 5F053GG01 , 5F053HH04 , 5F053JJ01 , 5F053KK03 , 5F053RR03

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

単結晶引上装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-104568 Applicant：川崎製鉄株式会社
単結晶製造装置および単結晶の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-275097 Applicant：コマツ電子金属株式会社
CZ法単結晶インゴット製造装置及び方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-122796 Applicant：コマツ電子金属株式会社, 株式会社小松製作所

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