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J-GLOBAL ID：200903001258727020

単結晶製造装置および単結晶の製造方法

Inventor：
琴岡 敏朗

About 琴岡 敏朗

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島貫 芳行

About 島貫 芳行

, 
鴨川 誠

About 鴨川 誠


Applicant, Patent owner：
コマツ電子金属株式会社

About コマツ電子金属株式会社


Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997275097
Publication number (International publication number)：1999092272
Application date： Sep. 22, 1997
Publication date： Apr. 06, 1999
Summary：
【要約】【課題】 CZ法による単結晶の製造において、単結晶の高速引き上げが可能で、かつ、軸方向における品質が均一な単結晶が得られるようにする。【解決手段】 本発明による単結晶製造装置および製造方法の1例として、育成中の単結晶7を取り囲み、下部の厚さを従来の熱遮蔽板の2〜6倍程度とした熱遮蔽板1と、熱遮蔽板1のリム1aを覆うとともに単結晶7を取り囲むアフタクーラ21とを組み合わせた単結晶製造装置を用いる。アフタクーラ21に供給する冷却水量を単結晶の育成長さに応じて徐々に増加させ、単結晶の長さが所定寸法に到達した後は一定に保つ。これにより固液界面近傍の結晶温度勾配が大きくなり、単結晶の形状が安定しやすくなるとともに、引き上げ速度を結晶のトップからボトムまで一定にすることができる。単結晶引き上げ速度は従来に比べて1.3〜2.2倍に増加し、軸方向の品質が均一な単結晶が得られる。
Claim (excerpt)：
CZ法による単結晶製造装置において、ホットゾーンの上方を環状に覆うリムと、前記リムの内縁部から垂下して単結晶を取り囲み、下部の厚さを従来の熱遮蔽板の厚さの2〜6倍程度とした断熱筒とからなる熱遮蔽板を備え、育成中の単結晶の外周と融液面との交点と熱遮蔽板の下端とを結ぶ直線より下側にヒータ上端の位置を設定したことを特徴とする単結晶製造装置。
IPC (4)：
C30B 15/00 ,  C30B 29/06 502 ,  C30B 29/06 ,  H01L 21/208
FI (4)：
C30B 15/00 Z ,  C30B 29/06 502 C ,  C30B 29/06 502 E ,  H01L 21/208 P
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (9)
  • 単結晶製造装置および単結晶製造方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-084075   Applicant：住友シチックス株式会社
  • シリコン単結晶の製造装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-216319   Applicant：新日本製鐵株式会社, ニッテツ電子株式会社
  • 特開昭63-315589
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