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J-GLOBAL ID:200903050071872869
光メモリ素子及び光メモリ素子の製造方法
Inventor:
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
長谷川 曉司
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2000190555
Publication number (International publication number):2002001738
Application date: Jun. 26, 2000
Publication date: Jan. 08, 2002
Summary:
【要約】【課題】 小型大容量であってノイズが少なく信頼性の高い光メモリ素子をさらに容易かつ安価に提供する。【解決手段】 基体の少なくとも一面に、樹脂製クラッド層と樹脂製コア層からなりかつ両層の界面に凹凸部が設けられてなる樹脂製クラッド/コア部材が、互いに接して2以上積層されてなる光メモリ素子であって、基体と樹脂製クラッド/コア部材のあいだに、該凹凸部を有しない樹脂製コア層が少なくとも1層設けられてなる光メモリ素子。
Claim (excerpt):
基体の少なくとも一面に、樹脂製クラッド層と樹脂製コア層からなりかつ両層の界面に凹凸部が設けられてなる樹脂製クラッド/コア部材が、互いに接して2以上積層されてなる光メモリ素子であって、基体と樹脂製クラッド/コア部材のあいだに、該凹凸部を有しない樹脂製コア層が少なくとも1層設けられてなることを特徴とする光メモリ素子。
IPC (8):
B29C 39/12
, B29C 39/24
, G02B 6/122
, G02B 6/13
, G11C 13/04
, B29K101:10
, B29L 9:00
, B29L 31:34
FI (8):
B29C 39/12
, B29C 39/24
, G11C 13/04 Z
, B29K101:10
, B29L 9:00
, B29L 31:34
, G02B 6/12 A
, G02B 6/12 M
F-Term (20):
2H047KA03
, 2H047MA03
, 2H047PA26
, 2H047QA05
, 2H047RA04
, 2H047TA04
, 2H047TA36
, 2H047TA43
, 4F204AA44
, 4F204AD05
, 4F204AD08
, 4F204AG03
, 4F204AH33
, 4F204EA03
, 4F204EB01
, 4F204EB12
, 4F204EB22
, 4F204EF05
, 4F204EF23
, 4F204EK18
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (2)
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多層導波路形再生専用メモリーカード
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平10-148923
Applicant:日本電信電話株式会社
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ポリマ導波路及びその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平8-200562
Applicant:日立電線株式会社
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