6H-SiC単結晶の成長方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：八田幹雄 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996174952
Publication number (International publication number)：1998017399
Application date： Jul. 04, 1996
Publication date： Jan. 20, 1998
Summary：

【要約】【課題】マイクロパイプ欠陥の発生を防止し、且つ積層欠陥の少ない6H-SiC単結晶を製造する方法を提供する。【解決手段】昇華再結晶法において、(11-20)面から(0001)面方向への傾きが±30 ゚以内の範囲にあり且つ(11-20)面から(10-10)面方向への傾きが±10 ゚以内の範囲にある6H-SiCの面を種結晶基板に用いる。特に(11-20)面からの実質的傾きを有しない面を用いるとよい。

Claim (excerpt)：

種結晶を用いた昇華再結晶法によるSiC単結晶の成長方法において、(11-20)面から(0001)面方向への傾きが±30 ゚以内の範囲にあり且つ(11-20)面から(10-10)面方向への傾きが±10 ゚以内の範囲にある6H-SiCの面を種結晶基板として使用することを特徴とする積層欠陥の少ない6H-SiC単結晶の成長方法。

IPC (3)：

C30B 29/36 , C30B 23/00 , H01L 33/00

FI (3)：

C30B 29/36 A , C30B 23/00 , H01L 33/00 A

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

半導体単結晶の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-018272 Applicant：株式会社東芝
SiC単結晶およびその成長方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-098148 Applicant：新日本製鐵株式会社

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