Pat

J-GLOBAL ID：200903050108292655

窒化物半導体ウエハーの製造方法および窒化物半導体素子の製造方法

Inventor： 橋本 忠朗 ,  油利 正昭 ,  今藤 修 ,  石田 昌宏
Applicant, Patent owner： 松下電子工業株式会社
Agent (1)： 滝本 智之 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998142675
Publication number (International publication number)：1999340147
Application date： May. 25, 1998
Publication date： Dec. 10, 1999
Summary：

【要約】【課題】 簡単な方法で最適な窒化条件を提供する。【解決手段】 サファイア基板4を窒化する温度をT(K)とした時の窒化時間t(秒)を、4.7×10-4×exp(1.5×104/T)以上とし、かつサファイア基板4の表面上に形成されたAlN結晶核が10nmを越える凹凸を生成しないような時間内で窒化時間を設定する。

Claim (excerpt)：

サファイア基板を窒化処理する窒化処理工程と、前記窒化処理されたサファイア基板上にバッファ層を形成する工程と、前記バッファ層上に窒化物からなる結晶層を形成する工程とを有する窒化物半導体ウエハーの製造方法において、前記窒化処理工程における温度をT(K)とした時の窒化時間t(秒)を4.7×10-4×exp(1.5×104/T)以上とする窒化物半導体ウエハーの製造方法。

IPC (4)：

H01L 21/205 ,  H01L 21/203 ,  H01L 33/00 ,  H01S 3/18

FI (4)：

H01L 21/205 ,  H01L 21/203 M ,  H01L 33/00 C ,  H01S 3/18

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

• 化合物半導体装置及びその形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-173602   Applicant：ソニー株式会社
• 特開昭63-178516
  
• 特開平3-203388
  
• ヘテロエピタキシャル成長方法、ヘテロエピタキシャル層および半導体発光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-285606   Applicant：日本電信電話株式会社
• 特開昭63-178516
  
• 特開平3-203388