酸化物カプセル化材料の水素化の強化方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：中島淳 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997266852
Publication number (International publication number)：1998120413
Application date： Sep. 30, 1997
Publication date： May. 12, 1998
Summary：

【要約】【課題】多結晶シリコン膜及びデバイス等の酸化物カプセル化材料を不動態化するために必要とされる水素化の時間が短縮され、多結晶シリコン薄膜トランジスタの電気的遷移特性が改良される、酸化物カプセル化材料の水素化の強化方法を提供する。【解決手段】単原子水素の反射率が低い注入層を酸化物カプセル化材料上に形成した後、水素プラズマ等の原子水素源で水素化する。注入層はAu、Pt、水素化アモルファスシリコン等が好ましい。

Claim (excerpt)：

酸化物でカプセル化された材料の水素化を強化するための方法であって、単原子水素の反射率が低い注入層を酸化物カプセル化材料上に形成するステップと、前記材料を水素プラズマを含む原子水素源で水素化するステップと、を含む、酸化物カプセル化材料の水素化の強化方法。

IPC (5)：

C01B 33/04 , B01J 19/08 , C01B 33/02 , H01L 29/786 , H01L 21/336

FI (5)：

C01B 33/04 , B01J 19/08 H , C01B 33/02 D , C01B 33/02 E , H01L 29/78 627 E

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

特開平2-187037
特開昭59-213137
特開昭51-006679

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