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J-GLOBAL ID：200903050163007765

絶縁膜及びその形成方法

Inventor： 井谷 司 ,  小島 由紀子
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 柏谷 昭司 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998179848
Publication number (International publication number)：2000012690
Application date： Jun. 26, 1998
Publication date： Jan. 14, 2000
Summary：

【要約】【課題】 絶縁膜及びその形成方法に関し、多孔質化に伴う低誘電率化の効果を保ちつつ、絶縁膜の耐湿性を向上する。【解決手段】 絶縁膜を、空隙5を含む多孔質化絶縁膜4と、多孔質化絶縁膜4の表面に設けられた空隙5が埋め込まれた絶縁膜6とによって構成する。

Claim (excerpt)：

電子装置に用いる絶縁膜において、絶縁膜を、空隙を含む多孔質化絶縁膜と、前記多孔質化絶縁膜の表面に設けられた空隙が埋め込まれた絶縁膜とによって構成することを特徴とする絶縁膜。

IPC (3)：

H01L 21/768 ,  H01L 21/312 ,  H01L 21/316

FI (3)：

H01L 21/90 N ,  H01L 21/312 C ,  H01L 21/316 P

F-Term (44)：

5F033AA12 ,  5F033AA13 ,  5F033AA65 ,  5F033DA01 ,  5F033EA02 ,  5F033EA03 ,  5F033EA05 ,  5F033EA06 ,  5F033EA19 ,  5F033EA24 ,  5F033EA25 ,  5F033EA28 ,  5F033EA29 ,  5F033EA32 ,  5F033EA36 ,  5F033FA03 ,  5F058AA04 ,  5F058AA10 ,  5F058AD02 ,  5F058AD05 ,  5F058AD06 ,  5F058AF04 ,  5F058AG03 ,  5F058AG04 ,  5F058AG10 ,  5F058AH02 ,  5F058BA07 ,  5F058BA20 ,  5F058BD01 ,  5F058BD04 ,  5F058BD05 ,  5F058BD10 ,  5F058BD19 ,  5F058BE10 ,  5F058BF02 ,  5F058BF07 ,  5F058BF23 ,  5F058BF37 ,  5F058BF39 ,  5F058BF54 ,  5F058BF60 ,  5F058BH11 ,  5F058BH12 ,  5F058BH20

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 半導体集積回路装置及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-109210   Applicant：三菱電機株式会社