Pat
J-GLOBAL ID:200903050191576082
電力用半導体装置
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
外川 英明
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1996159395
Publication number (International publication number):1998012812
Application date: Jun. 20, 1996
Publication date: Jan. 16, 1998
Summary:
【要約】【課題】 製造が容易かつ、より小形、さらに高信頼性のある電力用半導体装置を提供すること。【解決手段】 表面に回路を形成した導電性パターンを持つ回路基板上にベアパワー素子、およびそのドライブ回路および制御回路等を構成する電子部品5を実装してパッケージにした電力用半導体装置において、ベアパワー素子2を実装したパワー回路基板1と、ベアパワー素子回路接続用の導電性パターン10cを有するパワー回路接続用基板10とを設け、前記ベアパワー素子2上に前記パワー回路接続用基板10を重ね合わせ、ベアパワー素子2の上面と前記回路基板接続用基板10の導電性パターン10cとを電気的に接続したことを特徴とする。
Claim (excerpt):
表面に回路を形成した導電性パターンを持つ回路基板上にベアパワー素子、およびそのドライブ回路および制御回路等を構成する電子部品を実装してパッケージにした電力用半導体装置において、ベアパワー素子を実装したパワー回路基板と、ベアパワー素子回路接続用の導電性パターンを有するパワー回路接続用基板と、前記ベアパワー素子上に前記パワー回路接続用基板を重ね合わせ、前記ベアパワー素子の上面と前記回路基板接続用基板の導電性パターンとを電気的に接続したことを特徴とする電力用半導体装置。
IPC (2):
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (2)
-
パワーデバイスチップの実装構造
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平6-160761
Applicant:日産自動車株式会社
-
特開平3-195053
Return to Previous Page