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J-GLOBAL ID：200903050191625067

処理方法及び処理装置

Inventor： 出口 雅敏 ,  白川 英一 ,  青木 茂樹 ,  村上 政明
Applicant, Patent owner： 東京エレクトロン株式会社 ,  東京エレクトロン九州株式会社
Agent (1)： 中本 菊彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993285972
Publication number (International publication number)：1995122485
Application date： Oct. 20, 1993
Publication date： May. 12, 1995
Summary：

【要約】【目的】 処理液の表面張力に起因して発生するアスペクト比の高い微細なレジストパターンの倒壊を防止する。【構成】 ウエハ(被処理体)Wに純水(処理液)44を供給する処理液供給系43に、純水44の表面張力を低下させる性質を有する溶媒であるIPA(イソプロピル・アルコール)46を純水44に混入させる溶媒供給系89を設け、純水44にIPA46を混入し、表面張力の小さいIPA水溶液73としてウエハWに供給する。IPA水溶液73のIPA濃度は、体積濃度で10〜15%程度とする。IPA水溶液を用いることで、表面張力の値を大幅に低下させることができ、微細なレジストパターンの倒壊を有効に防止できる。

Claim (excerpt)：

レジストパターンが形成された被処理体に処理液を供給して処理を施す処理方法において、上記処理液に処理液の表面張力を低下させる性質を有する物質を混入させるようにしたことを特徴とする処理方法。

IPC (3)：

H01L 21/027 ,  G03F 7/30 ,  G03F 7/32

FI (2)：

H01L 21/30 569 C ,  H01L 21/30 569 F

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 特開平3-215867
  
• レジストパターン形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-146873   Applicant：株式会社ソルテック