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J-GLOBAL ID：200903050210254911

反応性ガスの発生方法およびその発生装置

Inventor：
吐合 一徳

About 吐合 一徳


Applicant, Patent owner：
株式会社安川電機

About 株式会社安川電機


Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001273254
Publication number (International publication number)：2003080058
Application date： Sep. 10, 2001
Publication date： Mar. 18, 2003
Summary：
【要約】【課題】小型でエネルギー効率が高く、安定した放電が得られ、かつ、生成される活性酸素種やラジカル種等をオゾン処理以外の処理に有効利用できる反応性ガス発生装置を得る。【解決手段】本発明の反応性ガス発生装置は 高電圧電極14と低電圧電極15とを所定の放電空間を介して対向させた反応器10と、放電電極に高電圧を印加する高圧電源とを備え、放電電極に電圧を印加し放電空間に原料ガス12を導入することにより反応性ガスを生成するもので、反応器の前段に設けた原料ガスの導入部と、反応器の後段に設けた反応性ガスの取出部20とを備え、放電空間の圧力が取出部の圧力よりも高くなるように原料ガスを導入し、この状態でパルス高電圧を印加することにより低温プラズマを生成させる構成である。
Claim (excerpt)：
【請求項1】 高電圧電極と低電圧電極とを所定の放電空間を介して対向させて反応器を形成し、前記放電空間に原料ガスを導入して前記高電圧電極に高電圧を印加し、発生したプラズマにより前記原料ガスを反応性ガスにする反応性ガス発生方法において、前記反応器の前段に前記原料ガスの導入部を、後段に前記反応性ガスの取出部を設け、前記放電空間の圧力を前記取出部の圧力よりも高くなるように前記原料ガスを導入し、この状態でパルス高電圧を印加して低温プラズマを発生させることを特徴とする反応性ガス発生方法。
IPC (2)：
B01J 19/08 ,  C01B 13/11
FI (3)：
B01J 19/08 E ,  C01B 13/11 A ,  C01B 13/11 C
F-Term (27)：
4G042CA01 ,  4G042CC02 ,  4G042CC11 ,  4G042CE04 ,  4G075AA03 ,  4G075AA07 ,  4G075AA13 ,  4G075AA23 ,  4G075AA30 ,  4G075AA37 ,  4G075BA05 ,  4G075BA06 ,  4G075BA10 ,  4G075CA62 ,  4G075CA65 ,  4G075DA02 ,  4G075DA05 ,  4G075EA01 ,  4G075EB41 ,  4G075EC01 ,  4G075EC21 ,  4G075FA01 ,  4G075FA03 ,  4G075FA05 ,  4G075FA08 ,  4G075FC09 ,  4G075FC15
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)

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