有機薄膜トランジスタ及びその製造方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：荒船博司
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005129202
Publication number (International publication number)：2006310437
Application date： Apr. 27, 2005
Publication date： Nov. 09, 2006
Summary：

【課題】特殊な技術を用いずに、簡単な製造方法によりキャリア移動度が高い有機薄膜トランジスタを提供する。【解決手段】有機薄膜トランジスタは、一般式(1)で示すポルフィリン化合物Aをソース電極及びドレイン電極表面に結合させ、当該ポルフィリン化合物Aと一般式(2)で示すポルフィリン誘導体Bの重合体を結合させて当該ソース電極及びドレイン電極間を連結させた有機半導体層を有する。【選択図】なし

Claim (excerpt)：

下記一般式(1)で示すポルフィリン化合物Aをソース電極及びドレイン電極表面に結合させ、当該ポルフィリン化合物Aと下記一般式(2)で示すポルフィリン誘導体Bの重合体を結合させて当該ソース電極及びドレイン電極間を連結させた有機半導体層を有することを特徴とする有機薄膜トランジスタ。

IPC (3)：

H01L 51/05 , H01L 29/786 , H01L 21/336

FI (3)：

H01L29/28 , H01L29/78 618B , H01L29/78 618A

F-Term (34)：

5F110AA16 , 5F110BB01 , 5F110CC03 , 5F110CC05 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110EE01 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE06 , 5F110EE07 , 5F110EE42 , 5F110EE43 , 5F110EE44 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF09 , 5F110FF27 , 5F110FF28 , 5F110FF29 , 5F110GG05 , 5F110GG42 , 5F110HK01 , 5F110HK02 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110HK06 , 5F110HK07 , 5F110HK32 , 5F110HK33 , 5F110QQ06 , 5F110QQ14

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

有機薄膜トランジスタの製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-331398 Applicant：ルーセントテクノロジーズインコーポレイテッド

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