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J-GLOBAL ID：200903050290902986

半導体製造装置及び半導体装置の製造方法

Inventor： 片伯部 一郎 ,  秋山 龍男 ,  宮下 直人
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 竹村 壽
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995021075
Publication number (International publication number)：1995283178
Application date： Jan. 14, 1995
Publication date： Oct. 27, 1995
Summary：

【要約】【目的】 ウェーハ製造工程において行われるポリッシングを行うに際し、ポリッシングの終点検出を容易に行うことのできるポリッシング装置及びポリッシング方法を提供する。【構成】 ポリッシング装置は、研磨布19を有する研磨盤17と、前記研磨盤を回転させる第1の駆動シャフト46と、ポリッシングされる膜及びポリッシングを止めるストッパー膜が形成されているウエーハを固定する吸着布31を有する吸着盤33と、前記吸着盤を回転させる駆動シャフト47と、半導体ウエーハ20に赤外光などの所定のエネルギーを供給するエネルギー供給手段48と、前記半導体ウエーハに供給された前記エネルギーの変化を検出し、前記ポリッシングされる膜のポリッシングの終点を検出する手段とを備えている。ウェーハ20をポリッシングする際のポリッシング終点検出において、ポリッシング中のウェーハに供給され、エネルギー発生手段から生成された第1のエネルギーに基づく第2のエネルギーを検出することによりポリッシング終点の信号を容易にかつ確実に検出する。

Claim (excerpt)：

研磨布を有する研磨盤と、前記研磨盤を回転させる第1の駆動シャフトを有する第1の駆動手段と、ポリッシングされる膜及びポリッシングを止めるストッパー膜が形成されている半導体ウエーハを固定する吸着布を有する吸着盤と、前記吸着盤を回転させる第2の駆動シャフトを有する第2の駆動手段と、前記半導体ウエーハに所定のエネルギーを供給するエネルギー供給手段と、前記半導体ウエーハに供給された前記エネルギーの変化を検出し、前記ポリッシングされる膜のポリッシングの終点を検出するための手段とを備えていることを特徴とする半導体製造装置。

IPC (3)：

H01L 21/304 321 ,  H01L 21/304 ,  B24B 37/04

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 特開昭58-178526
  
• ウエハ研磨方法及びその装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-217987   Applicant：住友金属鉱山株式会社