フッ素系イオン含有廃液の処理方法およびそれに用いる処理装置

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：松山允之 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002094146
Publication number (International publication number)：2003285071
Application date： Mar. 29, 2002
Publication date： Oct. 07, 2003
Summary：

【要約】【課題】本発明は、主に半導体製造工場から排出されるフッ素を含む廃液から不純物を除去し、高濃度化した上で再度、薬液として使用する薬液の製造方法およびその装置を提供することを目的とする。【解決手段】フッ素系イオンを含有する廃液に対し、電気透析を行うことによってフッ素系イオンを一定以上の濃度まで濃縮する電気透析手段と、その前あるいは後の少なくともいずれか一方でフッ素系イオン以外のアニオンを除去する手段とから構成される。さらに、精留によってフッ化水素を高濃度化、高純度化させることもできる。

Claim (excerpt)：

フッ素系イオンを含有する廃液からフッ素系イオン以外のアニオン成分の少なくとも1種類を除去するアニオン除去工程と、少なくとも1枚のアニオン膜またはカチオン膜、ならびに少なくとも1枚の陽極および少なくとも1枚の陰極から構成される透析槽に前記工程において処理されたフッ素系イオンを含有する廃液を供給し、電気的に透析することによってフッ素系イオンを濃縮する透析工程と、を有することを特徴とするフッ素系イオン含有廃液の処理方法。

IPC (11)：

C02F 1/469 , B01D 61/44 500 , B01D 61/44 520 , C02F 1/04 , C02F 1/28 , C02F 1/46 ZAB , C02F 1/461 , C02F 9/00 502 , C02F 9/00 , C02F 9/00 503 , C02F 9/00 504

FI (13)：

B01D 61/44 500 , B01D 61/44 520 , C02F 1/04 C , C02F 1/28 L , C02F 1/46 ZAB , C02F 9/00 502 B , C02F 9/00 502 L , C02F 9/00 502 M , C02F 9/00 503 G , C02F 9/00 504 B , C02F 9/00 504 E , C02F 1/46 103 , C02F 1/46 101 A

F-Term (41)：

4D006GA17 , 4D006KA01 , 4D006KA72 , 4D006KB01 , 4D006KB11 , 4D006KB12 , 4D006MA13 , 4D006MA14 , 4D006PA02 , 4D006PB08 , 4D006PB70 , 4D006PC01 , 4D024AA04 , 4D024AB11 , 4D024AB13 , 4D024AB14 , 4D024BA17 , 4D024BA18 , 4D024DB06 , 4D024DB09 , 4D034AA27 , 4D034BA01 , 4D034CA12 , 4D061DA08 , 4D061DB18 , 4D061DC13 , 4D061DC14 , 4D061DC17 , 4D061EA03 , 4D061EA09 , 4D061EB13 , 4D061EB20 , 4D061EB22 , 4D061EB29 , 4D061EB30 , 4D061EB37 , 4D061EB39 , 4D061FA02 , 4D061FA09 , 4D061GA06 , 4D061GC14

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

ふっ素イオンの除去方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-060512 Applicant：株式会社トクヤマ
特表平3-504374
特開昭53-068694

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