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J-GLOBAL ID：200903050311439157

半導体装置とその製造方法

Inventor： 岩淵 馨
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 船橋 國則
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995049353
Publication number (International publication number)：1996250498
Application date： Mar. 09, 1995
Publication date： Sep. 27, 1996
Summary：

【要約】【目的】 半導体素子と回路基板との線膨張係数の差に起因する不都合を解消して十分な信頼性を確保するとともに、フリップチップ化による高密度化の効果を十分発揮でき、しかもコストアップを抑制することができる半導体装置とその製造方法を提供する。【構成】 複数のパッド12を有する半導体素子11のパッド形成面に、パッド12のうちの一つに導通する配線部14が複数形成され、配線部14の所定位置上にバンプ18が形成されてなる半導体装置10。およびその製造方法。

Claim (excerpt)：

複数のパッドを有する半導体素子のパッド形成面に、前記パッドのうちの一つに導通する配線部が複数形成され、該配線部の所定位置上にバンプが形成されてなる、ことを特徴とする半導体装置。

FI (4)：

H01L 21/92 602 Z ,  H01L 21/92 602 N ,  H01L 21/92 602 L ,  H01L 21/92 604 B

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (3)

• 半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-019855   Applicant：株式会社東芝
• 特開平3-159152
  
• 特開昭64-061934
  

Cited by examiner (3)

• 半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-019855   Applicant：株式会社東芝
• 特開平3-159152
  
• 特開昭64-061934