プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：高田幸彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994128791
Publication number (International publication number)：1995335626
Application date： Jun. 10, 1994
Publication date： Dec. 22, 1995
Summary：

【要約】【目的】フッ素原子を含むガスプラズマを使用するプラズマ処理において、プラズマ処理速度の低下を防止したプラズマ処理装置およびプラズマ処理方法を提供する。【構成】プラズマ発生装置130と、真空容器50と、真空容器内で処理ガスのプラズマを用いて試料を処理する手段とを備えたプラズマ処理装置において、まず、真空容器に、ガス源101から処理用のエッチングガスを導入し、このエッチングガスにマイクロ波を印加してプラズマを発生させ、試料90をエッチング処理する。所定の条件、例えば処理枚数が所定値に達したら、真空容器内をリフオーミング処理、すなわち処理用のガスに触れた部分をエッチングにより除去する処理に進む。まず、試料の代りに、ダミーの基板を真空容器内に搬入し、次に、ガス源102,103からリフオーミング用のガスを導入し、このガスをプラズマ化する。このプラズマによって真空容器の壁面を薄く除去する。

Claim (excerpt)：

プラズマ発生装置及び真空処理室を備えたプラズマ処理装置によるプラズマ処理方法において、前記プラズマ発生装置により処理ガスをプラズマ化するステップと、前記真空処理室内で、該処理ガスのプラズマを用いて試料を処理するステップと、前記プラズマ発生装置により、リフォーミングガスをプラズマ化するステップと、該リフォーミングガスのプラズマを用いて、前記プラズマ処理装置内の前記処理ガスに接した部分をリフォーミングするステップとからなる、プラズマ処理方法。

IPC (4)：

H01L 21/3065 , C23C 16/50 , C23F 4/00 , H01L 21/205

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (10)

特開平4-199708
特開平2-304923
特開平4-035027

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