非晶質シリコン層の結晶化方法及びこれを使用する薄膜トランジスターの製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：稲葉良幸 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998110658
Publication number (International publication number)：1998321870
Application date： Apr. 21, 1998
Publication date： Dec. 04, 1998
Summary：

【要約】【課題】レーザー・アニーリング(annealing)を実施して、非晶質シリコンのチャンネル領域を結晶化する工程において、キャッピング層の形成を不要にする。【解決手段】非晶質シリコン層21に溝領域を形成する段階と、前記非晶質シリコン層にレーザーを照射して結晶化する段階を含む。厚さの違いにより溶融の程度が異なるので、領域21Aでは溶融しなかった結晶21Sをシードとして多結晶シリコンが成長し、チャネル領域21Cでは領域21Aで成長した結晶をシードとしてバウンダリ・ラテラル成長により大きな結晶が成長する。その結果、チャネル領域における境界が減り、キャリアの移動度が向上する。

Claim (excerpt)：

基板上に非晶質シリコン層を形成する段階と、前記非晶質シリコン層に溝領域を形成する段階と、前記溝領域を含む前記非晶質シリコン層をレーザーによって結晶化する段階とを備える非晶質シリコンの結晶化方法。

IPC (2)：

H01L 29/786 , H01L 21/336

FI (2)：

H01L 29/78 627 G , H01L 29/78 618 C

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

薄膜トランジスタ及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-119152 Applicant：三洋電機株式会社
特開平2-283036

Return to Previous Page