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J-GLOBAL ID：200903050390615771
半導体レ-ザ装置
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
鈴江 武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992333124
Publication number (International publication number)：1994181360
Application date： Dec. 14, 1992
Publication date： Jun. 28, 1994
Summary：
【要約】【目的】短波長(650nm未満)になっても、しきい値電流密度や、最大動作温度等の特性劣化を招かない半導体レーザ装置を提供すること。【構成】GaAs基板1上に形成された活性層4と、In<SB>0.5 </SB>(Ga<SB>1-X </SB>Al<SB>X </SB>)<SB>0.5</SB>P(0.7<x<1.0)からなる障壁層bおよびIn<SB>1-u </SB>Ga<SB>u </SB>As<SB>1-v </SB>P <SB>v </SB>(0<u<0.45,0.6>v>1)からなる井戸層wとで構成されたMWB構造5を有するp型クラッド層6と、このp型クラッド層6とともに活性層4を挾持するn型クラッド層2とを有することを特徴とする。
Claim (excerpt)：
半導体からなる活性層と、井戸層の材料と障壁層のそれとが異なり、且つ前記障壁層の電子の有効質量が前記井戸層のそれより大きい多重量子障壁構造を有するp型クラッド層と、このp型クラッド層とともに前記活性層を挾持するn型クラッド層とを有することを特徴とする半導体レ-ザ装置。
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (6)
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