Pat

J-GLOBAL ID：200903050539205229

キャパシタを有する半導体装置の製造方法

Inventor： 高井 一章 ,  能代 英之
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 高橋 敬四郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994207033
Publication number (International publication number)：1996078636
Application date： Aug. 31, 1994
Publication date： Mar. 22, 1996
Summary：

【要約】 (修正有)【目的】 ゾルゲル法を用いてキャパシタ誘電体膜を形成する半導体装置の製造方法に関し、リーク電流が少ない半導体装置を作成することのできる製造方法を提供する。【構成】 基板上に下部電極2を形成する工程と、有機誘電体原料を有機溶媒に溶解した液体状原料を下部電極上に塗布し、誘電体膜3を形成する工程と、前記誘電体膜を揮発成分が蒸発する温度より高く、かつ誘電体が結晶化する温度より低い温度で仮焼成する工程と、前記誘電体膜上に上部電極4を形成する工程と、前記上部電極を形成した基板を前記誘電体が結晶化する温度以上の温度で本焼成する工程とを含む半導体装置の製造方法が提供される。

Claim (excerpt)：

(a)下部電極を形成する工程と、(b)有機誘電体原料を有機溶媒に溶解した液体状原料を下部電極上に塗布し、誘電体膜を形成する工程と、(c)前記誘電体膜を揮発成分が蒸発する温度より高く、かつ誘電体が結晶化する温度より低い温度で仮焼成する工程と、(d)前記誘電体膜上に上部電極を形成する工程と、(e)前記誘電体が結晶化する温度以上の温度で本焼成する工程とを含む半導体装置の製造方法。

IPC (5)：

H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 21/316 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822

FI (2)：

H01L 27/10 651 ,  H01L 27/04 C

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 強誘電体薄膜の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-240908   Applicant：セイコーエプソン株式会社
• 半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-245853   Applicant：セイコーエプソン株式会社
• 強誘電体薄膜の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-275639   Applicant：テキサスインスツルメンツインコーポレイテツド