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J-GLOBAL ID:200903050579202877
架橋又は硬化したレジスト樹脂を有する減少した金属腐食を生じるアルカリ含有フォトレジストストリッピング組成物
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
佐々井 克郎
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1993299063
Publication number (International publication number):1994202345
Application date: Nov. 05, 1993
Publication date: Jul. 22, 1994
Summary:
【要約】【目的】 本発明の目的は、マイクロ回路基体の金属腐食を回避するフォトレジストストリッピング組成物の提供である。【構成】 非窒素含有弱酸をフォトレジスト用アミン含有アルカリ性ストリッパ-に添加すると、いかなる実質的な金属腐食も生じない、硬化又は高度に架橋したフィルムをストリッピング可能なストリッパ-組成物を生じる。ストリッピング組成物に有用な弱酸には水溶液中のpKが2.0以上、当量が約140未満のものが含まれ、アミンの約19〜75%を中和する量で使用される。
Claim (excerpt):
いかなる実質的な金属腐食も生じることなしに金属含有基質から硬化又は高度に架橋したフォトレジスト樹脂フィルムをストリッピング可能であり、ストリッピング溶媒、親核アミン、及び該親核アミンを部分的に中和するに十分な量の非窒素含有弱酸を含んでいるアルカリ含有フォトレジストストリッピング組成物。
IPC (2):
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (2)
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ポジ型フォトレジスト用剥離液および半導体装置の製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平4-105186
Applicant:日本テキサス・インスツルメンツ株式会社, 関東化学株式会社
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特開平4-124668
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