Pat
J-GLOBAL ID：200903050595228797
III族窒化物の結晶成長方法およびIII族窒化物結晶および基板および半導体デバイス
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
植本 雅治
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004059231
Publication number (International publication number)：2005247625
Application date： Mar. 03, 2004
Publication date： Sep. 15, 2005
Summary：
【課題】 転位密度の低い高品質なIII族窒化物結晶を作製することの可能なIII族窒化物の結晶成長方法を提供する。【解決手段】 少なくともアルカリ金属とIII族金属と窒素が溶解した融液からIII族窒化物結晶を成長させる結晶成長方法において、特定の結晶面(例えば(0001)面)以外の結晶面を成長面として形成しながら結晶成長する。【選択図】 図2
Claim (excerpt)：
少なくともアルカリ金属とIII族金属と窒素が溶解した融液からIII族窒化物結晶を成長させる結晶成長方法において、特定の結晶面以外の結晶面を成長面として形成しながら結晶成長することを特徴とするIII族窒化物の結晶成長方法。
IPC (2)：
FI (2)：
F-Term (8)：
4G077AA02
, 4G077AB02
, 4G077BE15
, 4G077CD05
, 4G077ED01
, 4G077HA06
, 4G077LA01
, 4G077MB12
Cited by applicant (1)
Cited by examiner (2)
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