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J-GLOBAL ID：200903061784156928
III族窒化物結晶成長方法およびIII族窒化物結晶成長装置
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
植本 雅治
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002003312
Publication number (International publication number)：2003206198
Application date： Jan. 10, 2002
Publication date： Jul. 22, 2003
Summary：
【要約】【課題】 大面積の高品質なIII族窒化物結晶を作製する。【解決手段】 センサー20の先端には空間的に分離した端子21,22が設置されており、センサー20の先端に設置されている端子21,22間の電気的導通の有無によって結晶成長容器18の底板17を停止あるいは上方に移動させ、液面(気液界面)26の高さを一定に保持するように構成されている。
Claim (excerpt)：
アルカリ金属とIII族金属原料を含む混合融液中でIII族金属原料と窒素原料を反応させてIII族窒化物結晶を成長させるIII族窒化物結晶成長方法において、アルカリ金属とIII族金属を含む混合融液と窒素原料ガスとの気液界面付近、あるいは、アルカリ金属とIII族金属を含む混合融液と窒素原料が分解して生成した窒素ガスとの気液界面付近に、III族窒化物結晶の成長中、III族窒化物結晶を継続して保持し、気液界面に概ね平行に板状のIII族窒化物結晶を成長することを特徴とするIII族窒化物結晶成長方法。
IPC (2)：
FI (2)：
C30B 29/38 D
, C30B 11/12
4G077AA02
, 4G077AB02
, 4G077BE15
, 4G077CC06
, 4G077ED02
, 4G077EG29
, 4G077EH06
Cited by applicant (3)
Cited by examiner (3)
Article cited by the Patent：
Cited by applicant (1)
Cited by examiner (1)
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