Pat
J-GLOBAL ID：200903050652049063

真空処理装置

Inventor：
今井 勇次

About 今井 勇次

, 
城崎 友秀

About 城崎 友秀


Applicant, Patent owner：
ソニー株式会社

About ソニー株式会社


Agent (1)： 佐藤 隆久
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997280859
Publication number (International publication number)：1999121437
Application date： Oct. 14, 1997
Publication date： Apr. 30, 1999
Summary：
【要約】【課題】チャンバ内のパーティクルの量を低減することが可能な真空処理装置を提供する。【解決手段】チャンバ2にチャンバ2内の気体を排気する排気装置21が設けられた真空チャンバ装置であって、チャンバ2の排気部にクーロン力によってチャンバ内に存在するパーティクルを集塵する集塵手段を有し、この集塵手段は電極板6とこの電極板6に高電圧を印加する電圧印加手段としてのDC電源51からなるものとした。
Claim (excerpt)：
チャンバにチャンバ内の気体を排気する排気手段が設けられた真空処理装置であって、前記チャンバの排気部にクーロン力によってチャンバ内に存在するパーティクルを集塵する集塵手段を有する真空処理装置。
IPC (6)：
H01L 21/3065 ,  B01J 3/00 ,  B03C 3/02 ,  C23C 14/00 ,  C23C 16/44 ,  H01L 21/205
FI (6)：
H01L 21/302 B ,  B01J 3/00 N ,  B03C 3/02 Z ,  C23C 14/00 B ,  C23C 16/44 J ,  H01L 21/205
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (2) Cited by examiner (3)
  • 特開平2-077578
  • 特開平2-077578
  • 半導体製造装置及びその方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-319086   Applicant：ソニー株式会社

Return to Previous Page

TOP

BOTTOM