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J-GLOBAL ID：200903050735292954

希土類をド-プした半導体構造及びその製造方法

Inventor： ジョーン・ジェイ・ペカリ ,  ウォルター・ジェイ・バーフー
Applicant, Patent owner： インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
Agent (1)： 坂口 博 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999039658
Publication number (International publication number)：1999340504
Application date： Feb. 18, 1999
Publication date： Dec. 10, 1999
Summary：

【要約】【課題】発光ダイオード(LED)、レーザ、光増幅器のような光デバイスに特に役立つ希土類のドーパントを含む半導体構造及びその製造方法に関する。【解決手段】pn接合4の付近に位置づけられた領域5は、希土類元素でドーピングされる。本発明の半導体構造は、第1のp型領域2と第1のn型領域3とを有するpーn接合を半導体内に有する構造である。その上、その構造は前記P型領域及び前記n型領域の1つと結合している電荷ソースを含み、電荷キャリアーを供給して希土類原子を励起する。

Claim (excerpt)：

第1のp型領域と第1のn型領域を有する半導体内にpn接合を含む構造において、希土類元素がドープされた、pn接合付近に位置づけられている領域と、前記希土類原子を励起するための電荷キャリア手段とを備える構造。

IPC (4)：

H01L 33/00 ,  C09K 11/77 ,  H01S 3/18 670 ,  H01S 3/18 692

FI (4)：

H01L 33/00 A ,  C09K 11/77 ,  H01S 3/18 670 ,  H01S 3/18 692

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 光増幅装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-143644   Applicant：アメリカンテレフォンアンドテレグラフカムパニー
• 特開昭62-268169