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J-GLOBAL ID:200903050745939328
単結晶ダイヤモンド膜の気相合成用基板
Inventor:
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Applicant, Patent owner:
Agent (1):
藤巻 正憲
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1995091830
Publication number (International publication number):1996259387
Application date: Mar. 24, 1995
Publication date: Oct. 08, 1996
Summary:
【要約】【目的】 粒界がないか、又は粒界密度が極めて低い単結晶ダイヤモンド膜を人工的に合成することができ、単結晶の大面積のダイヤモンド膜を低コストで気相合成することだでき、ダイヤモンドを用いた幅広い応用分野について、その特性の飛躍的向上と実用化を可能にすることができる単結晶ダイヤモンド膜の気相合成用基板を提供する。【構成】 単結晶ダイヤモンド膜気相合成用基板は、所定の結晶面を有する単結晶シリコン基体1、3の表面に白金又は白金シリサイドを蒸着して、その表面に白金シリサイド層2、4を形成したものである。この白金シリサイド層の厚さは1原子層以上、1mm以下である。前記単結晶シリコン基体の結晶面は(111)又は(001)であるか、又はその傾きがこれらの結晶面から10°以内である。
Claim (excerpt):
所定の結晶面を有する単結晶シリコン基体の表面に白金又は白金シリサイドを蒸着して、その表面に白金シリサイド層を形成したものであることを特徴とする単結晶ダイヤモンド膜の気相合成用基板。
IPC (3):
C30B 25/18
, C30B 29/04
, H01L 31/10
FI (3):
C30B 25/18
, C30B 29/04 Q
, H01L 31/10 A
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (1)
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ダイヤモンドの選択形成方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平5-045511
Applicant:出光石油化学株式会社
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