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J-GLOBAL ID：200903050748407742

非晶質半導体膜およびこれを用いた半導体装置

Inventor： 井原 久典 ,  野崎 秀俊 ,  新山 貴子 ,  石塚 芳樹 ,  山口 鉄也 ,  飯田 義典 ,  古川 章彦
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 鈴江 武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994144860
Publication number (International publication number)：1995074106
Application date： Jun. 27, 1994
Publication date： Mar. 17, 1995
Summary：

【要約】【目的】 本発明は光劣化に強い水素化非晶質シリコン膜とそれを用いた半導体装置を提供する。【構成】 基板上に積層された複数の水素化非晶質シリコン層からなる水素化非晶質シリコン膜において、前記水素化非晶質シリコン層に含まれる水素と炭素と酸素の濃度が各層の表面から前記基板方向に周期的に変化し、前記水素と炭素と酸素の濃度がピークを示す位置が実質的に一致することを特徴とする。

Claim (excerpt)：

炭素と酸素と水素を含む複数の水素化非晶質半導体層により基板上に積層体として構成され、前記炭素と酸素の内少なくとも一つの濃度と前記水素の濃度が、前記積層体の表面から前記基板方向に周期を持って変化し、前記炭素と酸素の内の少なくとも一つの濃度がピークを示す位置と、前記水素の濃度がピークを示す位置とが実質的に一致することを特徴とする非晶質半導体膜。