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J-GLOBAL ID:200903050761385634

水素貯蔵材料の再生方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 特許業務法人 天城国際特許事務所
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2007179531
Publication number (International publication number):2009011987
Application date: Jul. 09, 2007
Publication date: Jan. 22, 2009
Summary:
【課題】水素貯蔵材料の水素放出/水素吸収のサイクルにより劣化した性能を回復させるための水素貯蔵材料の再生方法を提供する。【解決手段】Mg(NH2)2とLiHのナノ複合体を有する水素貯蔵材料の第1の再生方法は、水素放出と水素吸収のサイクルを所定回数行った後の材料を、非酸化雰囲気においてミリング処理することで、実質的に製造時の水素貯蔵材料へと再生する。第2の再生方法は、水素放出と水素吸収のサイクルを所定回数行った後の材料を、NH3ガス雰囲気において所定温度に加熱して所定時間保持した後、この熱処理によって得られた材料を非酸化雰囲気においてミリング処理することで、実質的に製造時の水素貯蔵材料へと再生する。第3の再生方法は、水素放出と水素吸収のサイクルを所定回数行った後の材料を、NH3ガス雰囲気においてミリング処理することで、実質的に製造時の水素貯蔵材料へと再生する。【選択図】図3
Claim (excerpt):
マグネシウムアミドと水素化リチウムのナノ複合体を有する水素貯蔵材料の再生方法であって、 水素放出と水素吸収のサイクルを所定回数行った後の前記水素貯蔵材料を、非酸化雰囲気においてミリング処理することを特徴とする水素貯蔵材料の再生方法。
IPC (4):
B01J 20/04 ,  B01J 20/34 ,  C01B 3/00 ,  C01B 6/04
FI (5):
B01J20/04 B ,  B01J20/34 F ,  B01J20/34 Z ,  C01B3/00 B ,  C01B6/04
F-Term (10):
4G066AA11B ,  4G066AA51B ,  4G066CA38 ,  4G066GA01 ,  4G066GA06 ,  4G066GA37 ,  4G066GA40 ,  4G140AA46 ,  5H027AA02 ,  5H027BA14
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (2)

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